原本只计划在美国建设5nm芯片厂的台积电在去年底态度大变,对美国的投资大增,而且先进工艺也要转移出去,计划投资400亿美元建设3nm芯片厂。

据台积电所说,其亚利桑那州工厂将开始兴建第二期工程,预计于2026年开始生产3nm制程技术,该厂目前兴建中的第一期工程预计于2024年开始生产4nm制程技术(原计划是5nm),两期工程总投资金额约为400亿美元。

台积电表示,除了帮助建设厂房地的1万多名建筑工人外,台积电亚利桑那州的两座晶圆厂预计将额外创造1万个高薪高科技工作岗位,其中包括4500个直接受雇于台积电的工作岗位。

然而台积电选择美国建厂不是没有代价的,在日前的说法会上,台积电CEO魏哲家承认,美国直接建厂的厂房成本发是台积电的四五倍这不仅要归咎于美国的通胀及各种人工成本,还有各种许可证的额外成本,包括环境影响评估等等。

在美国建厂的成本原告于本土,但台积电表示将寻求各种方式来降低成本。

400亿美元建设美国3nm芯片厂 台积电有苦说不出:成本高出5倍

【本文结束】如需转载请务必注明出处:快科技

责任编辑:宪瑞