全球首发全栅极场效应晶体管！三星将量产3nm工艺 功耗比暴降50%

很显然，现在的三星想要通过大规模量产更先进工艺制程，来对台积电实现超越，这个你觉得能行吗？

据韩国媒体报道称，三星将在未来几天宣布开始批量制造，在生产世界上最先进的芯片的过程中击败竞争对手台积电。

在此之前这家韩国科技巨头在向更小的工艺节点转移时出现了很多产量问题，以至于影响了它的一些最大客户的业务，如高通公司，该公司现在正考虑将台积电用于未来的移动芯片。

NVIDIA在处理了Ampere GPU的良品率问题和相对较低的能源效率后，正为其下一代产品选择台积电，这些GPU原本是在三星的8nm工艺节点上制造的。

来自韩国当地媒体的报道显示，三星正准备宣布开始3纳米的批量制造，可能最快在本周。这将是对竞争对手台积电的一次重大挑战，这也意味着这家韩国公司将成为第一个使用全栅极场效应晶体管（GAAFET）的公司。

三星称其实施的3纳米GAAFET晶体管为多桥通道场效应晶体管，但这只是晶体管的一个技术名称，它背后的优势才是关键：功率减少50%，占用的空间减少45%，并能在极低电压下更稳定地运行。

有传言称，三星也已经获得了新工艺节点的第一批客户，该公司是否能够避免重蹈8nm和4nm的覆辙将是值得关注的。无论如何，代工业务是三星底线的一个强有力的贡献者，其一半以上的营业利润–约67亿美元和变化–来自芯片部门。